36W嘉兴干式变压器EMI整改方案
变压器绕法一:Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→Np2
PCB关键布局:Y电容地→大电容地,变压器地→Vcc电容→大电容地
注:变压器所有出线没有交叉
图一(115Vac)
图一所示可以看到,130-200M处情况并不乐观;
130-200M主要原因在于PCB布局问题和二次侧的肖特基回路,改其它地方作用不大,肖特基套磁珠可以完全压下来,图忘记保存了。
为了节约成本,公司并不让我这样做,因为套磁珠影响了成本,当即NG掉此PCB布局,采用图一a方式PCB关键布局走线。
变压器绕法不变:Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→Np2
PCB关键布局:Y电容地→变压器地→大电容地
注:变压器内部的初级出线及次级出线有交叉
图一a (115Vac)
图一a可以看出,改变PCB布局后130M-200M已经完全被衰减,但是30-130M没有图一效果好,可能变压器出线无交叉好一些。仔细观察,此IC具有抖频功能,传导部分频段削掉了一些尖峰;
图一b(230Vac)
图一b可以看到,输入电压在230Vac测试时,65M和83M位置有点顶线(红色线)
图一b-1(230Vac)
原边吸收电容由471P加大到102P,65M位置压下来一点,后面还是有点高,如图一b-1所示;
图一b-2(230Vac)
变压器屏蔽改成线屏蔽(0.2*1*30Ts),后面完全衰减,如图一b-2;
图一b-3(115Vac)
115Vac输入测试,后面150M又超了,发克!高压好了低压又不行,恼火啊!看来这招不行;
图一b-4(115Vac)
变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽(圈数由0.9Ts改成1.3Ts),效果不错,如图一b-4所示。
图一b-5(230Vac)
115Vac输入测试,测试通过。
结论:
一:变压器出线需做到不交叉;
二:Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地,不与其它信号线交叉;
1.韩国嘉兴干式变压器VCC上的整流二极管,这个对辐射影响也是很大的。
一个惨痛案例,一款过了EMI的产品,余量都有4dB以上,量产很多次了,其中有一次量产抽检EMI发现辐射超1dB左右,不良率有50%,经过层层排查、一个个元件对换。终发现是VCC上的整流二极管引发的问题,更换之前的管子(留低样品),余量有4dB。对不良管子分析,发现管子内部供应商做了镜像处理。
2.一个冷知识,如何测量PCB的铜箔厚度?
方法:在PCB板上找一条光滑且长的线条,测量其长度L,再测宽度W,再用DC源加1A电流在其两端测得压降U
依据电阻率公式得出以下公式:
例:取一段PCB铜箔,长度L为40mm,宽度为10mm,其通过1A电流两端压降为0.005V,求该段铜箔厚度为多少um?
文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。|发布时间:2019.04.24来源:嘉兴干式变压器厂家
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